STGW39NC60VD

bardzo szybki tranzystor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) firmy STMicroelectronics, zaprojektowany do pracy w aplikacjach wymagających wysokiej częstotliwości przełączania i dużej wydajności energetycznej.

• Typ: N‑kanałowy IGBT z wbudowaną ultraszybką diodą zwrotną
• Technologia: PowerMESH™ – niski stosunek C_RES / C_IES (mniejsza podatność na przewodzenie krzyżowe)
• Napięcie kolektor–emiter (V_CEO): 600 V
• Prąd kolektora (I_C): do 40 A ciągły, do 80 A w impulsie
• Moc strat (P_tot): do 250 W
• Napięcie nasycenia V_CE(sat): ok. 1,8 V
• Obudowa: TO‑247 – montaż przewlekany, możliwość zastosowania radiatora
• Temperatura pracy: od –55 °C do +150 °C
• Bardzo szybkie przełączanie – idealny do przetwornic wysokiej częstotliwości
• Wysoka sprawność energetyczna dzięki niskiemu V_CE(sat)
• Wbudowana dioda antyrównoległa o krótkim czasie odzyskiwania
• Odporność na przewodzenie krzyżowe (cross‑conduction)
• Dobra charakterystyka przy pracy równoległej
• Typowe zastosowania
• Przetwornice wysokiej częstotliwości (HF inverters)
• Zasilacze UPS
• Sterowniki silników
• Indukcyjne systemy grzewcze
• Spawarki inwertorowe