IRLR8726PBF

tranzystor mocy N‑MOSFET firmy Infineon (dawniej International Rectifier), zaprojektowany do pracy w układach o niskim napięciu i dużych prądach, z możliwością bezpośredniego sterowania z logiki (tzw. logic level gate drive).

• Typ: N‑MOSFET, kanał wzbogacany
• Technologia: HEXFET® StrongIRFET™
• Napięcie dren–źródło (Vds): 30 V
• Prąd drenu (Id): 86 A (przy 25 °C)
• Moc strat (Ptot): 75 W
• Rezystancja Rds(on): 5,8 mΩ (przy Vgs=10 V), 8 mΩ (przy Vgs=4,5 V)
• Napięcie progowe Vgs(th): ok. 1,8 V
• Napięcie bramka–źródło (Vgs max): ±20 V
• Obudowa: DPAK (TO‑252), montaż SMD
• Ładunek bramki Qg: ok. 15 nC
• Temperatura pracy: −55 °C do +175 °C

⚙ Zastosowania

• Przetwornice DC/DC i zasilacze impulsowe niskonapięciowe
• Sterowniki silników DC i BLDC
• Układy zasilania w komputerach i serwerach
• Przełączanie obciążeń w systemach automotive (12 V)
• Elektronika hobbystyczna i projekty z mikrokontrolerami (Arduino, STM32, Raspberry Pi)

• Logic level – można sterować bezpośrednio z wyjścia mikrokontrolera (np. 5 V lub 3,3 V)
• Bardzo niska rezystancja Rds(on) → małe straty mocy i mniejsze nagrzewanie
• Wysoka obciążalność prądowa przy kompaktowej obudowie SMD