IRLR3705Z

tranzystor mocy N‑MOSFET z serii HEXFET® firmy Infineon (dawniej International Rectifier), zaprojektowany do pracy przy niskich napięciach i dużych prądach, z możliwością bezpośredniego sterowania z logiki (logic level gate drive).

• Typ: N‑MOSFET, kanał wzbogacany
• Technologia: HEXFET® Power MOSFET
• Napięcie dren–źródło (Vds): 55 V
• Prąd drenu (Id): do 89 A (przy Tc=25 °C, ograniczenie krzemowe) / 42 A (ograniczenie obudowy)
• Moc strat (Ptot): 130 W
• Rezystancja Rds(on): 6,5–8 mΩ (Vgs=10 V), ok. 11–12 mΩ (Vgs=4,5–5 V)
• Napięcie progowe Vgs(th): 1,0–3,0 V
• Napięcie bramka–źródło (Vgs max): ±16 V
• Obudowa: DPAK (TO‑252) – montaż SMD
• Ładunek bramki Qg: ok. 44–66 nC
• Temperatura pracy: −55 °C do +175 °C

⚙ Zastosowania

• Przełączanie dużych prądów w układach automotive (np. sterowniki pomp VP30/VP44)
• Przetwornice DC/DC i zasilacze impulsowe
• Sterowniki silników DC i BLDC
• Układy LED dużej mocy
• Projekty z mikrokontrolerami wymagające niskiego Rds(on) i logicznego sterowania

• Logic level – działa poprawnie przy sterowaniu z 5 V, a często także z 3,3 V
• Bardzo niski Rds(on) → małe straty mocy i mniejsze nagrzewanie
• Wysoka obciążalność prądowa przy kompaktowej obudowie SMD
• Szybkie przełączanie i dobra odporność na zjawisko lawinowe (avalanche rating)